Ярким доказательством того, что потенциал повышения
производительности памяти типа DDR3 ещё до конца не раскрыт, стало
появление на свет уникального в своём роде прототипа модуля памяти DDR3
PC3-19200, совместно разработанного и уже протестированного компаниями Elpida и Buffalo Technology.
Как сообщается, данная планка построена на базе DRAM-чипов Elpida
J1108BASE-MNH-E HYPER, обладающих ёмкостью 1 Гбит и способных
передавать данные на скорости до 2,5 Гбит/с. Примечательно и то, что в
процессе создания этих микросхем при формировании проводящих слоёв
вместо алюминия используется медь, что благотворно сказывается на
повышении производительности изделий.
В составе анонсированного модуля чипы функционируют на частоте 2400
МГц с таймингами 11-11-11-34 при напряжении 2,1 В, тогда как при
номинальном напряжении 1,5 В, являющемся стандартным для планок памяти
DDR3, эти микросхемы работают на частоте 2096 МГц с задержками
9-10-9-24.
Ожидается, что запуск массового производства новых модулей
состоится уже в ближайшее время, однако их предполагаемая стоимость
пока ещё не обнародована.
Все материалы, размещенные на сайте, принадлежат соответствующим правообладателям и размещены исключительно в ознакомительных целях. За информацию, предоставляемую пользователями сайта, Администрация сайта ответственности не несет.
